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三星拟建泰勒二厂,为AMD、英伟达生产HBM基础裸片

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AI 综述

三星电子计划于2026年11月在美国得州泰勒市动工建设第二座晶圆代工厂(泰勒二厂),专门生产HBM所需的基础裸片。该厂规划产能已被客户全部预订,大部分订单来自AMD,英伟达也有相关安排;三星官方表示无法确认与客户相关的具体细节。 二厂占地约25万平方米,规模约为泰勒一厂的1.5倍,采用2纳米制程。与主要承接特斯拉AI芯片订单的一厂不同,二厂专攻HBM基础裸片。按当前规划,产线预计2029年2月开始搬入设备,2030年正式量产。

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11月6日
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    三星拟建泰勒二厂:为AMD、英伟达生产HBM基础裸片

    三星电子计划于2026年11月在美国得州泰勒市动工建设第二座晶圆代工厂,规划产能已被客户全部预订,大部分订单来自AMD,英伟达也有相关安排。该厂占地约25万平方米,规模约为泰勒一厂的1.5倍,采用2纳米制程,预计2029年2月开始搬入设备、2030年正式量产。与主要承接特斯拉AI芯片订单的泰勒一厂不同,二厂将专门生产HBM所需的基础裸片。

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