长江存储拟在武汉建第四座NAND工厂

长江存储计划在武汉建设第四座NAND芯片工厂，生产堆叠层数超过300层的芯片，主要面向数据中心与AI应用。新工厂国产设备采购比例目标为至少60%，力争达到70%；预计今年晚些时候投产的第三座工厂，中国供应商设备占比约为50%以上。 工厂预计明年动工。目前长江存储仅与供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单，公司对此未予置评。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。