长江存储计划在武汉建第四座工厂，生产300+层NAND芯片

长江存储计划在武汉建设第四座工厂，生产堆叠层数超过300层的NAND芯片，主要面向数据中心与AI应用。新工厂国产设备采购比例目标为至少60%，力争达到70%，而预计今年晚些时候投产的第三座工厂中国供应商设备占比约为50%以上。工厂预计明年动工，目前仅与供应商初步讨论，尚未正式下达订单，长江存储对此未予置评。